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              高可靠性DriveZ62封裝IGBT功率模塊

              Time:2019-12-17

              IGBT功率模塊是能源變換與傳輸的核心器件,被稱為電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產業(yè),在電源、逆變器、中大功率電機驅動等方面有廣泛的應用。
              為了追求更高的可靠性和穩(wěn)定性,中恒微半導體針對電機驅動、UPS電源、感應加熱等領域,推出了DriveZ62封裝的IGBT功率模塊,通過以下方式實現產品性能提升及嚴謹有效的品質管控:
              ?選用新型工藝功率芯片降低模塊功耗;
              ?應用高可靠性工藝封裝設計和材料;
              ?采用可追溯性管理進行質量控制。


              產品概要
              產品特點
              1.1  低飽和壓降,低開關損耗
              ?溝槽柵型場截止型IGBT芯片有助于實現模塊的低功耗化。
              1.2 通過提高IGBT工作上限溫度,提高產品的功率密度
              ?實現工作結溫范圍-40 ~ 150℃,結溫上限175℃。
              ?提升上限溫度,提高了產品的功率密度,提高了散熱設計的自由度。
              1.3 標準封裝,確保兼容性
              ?標準封裝尺寸,可與市場上同類模塊兼容
              主要規(guī)格
              性能特性
              IGBT功率模塊作為大功率的開關型器件,其開關特性與散熱能力是關注的重點。本文將以2B450M120S1P封裝模塊為例,簡單介紹該封裝的電氣特性和功耗情況。
              電氣特性
              IGBT模塊的飽和壓降VCE sat和開關損耗ESW是相互制約的因素,但又共同影響著功耗情況。因此,如何根據應用情況權衡兩者間的關系,是設計需要著重關注的要點之一。下圖所示是中恒微半導體與市場上主流A公司相同封裝模塊的綜合性能對比圖,從開關損耗和飽和壓降的平衡設計考慮,中恒微半導體的模塊都占有較大優(yōu)勢。
              (圖2  綜合性能對比圖)
              且該封裝模塊具備良好的開關特性,如圖3所示,開關損耗對比市場主流產品,功耗降低了約10%。并且在1Ω的驅動電阻下,峰值參數仍處于安全工作范圍,確保了產品的可靠性。有效控制開關噪聲的同時提高了開關速度,有助于降低終端用戶機體散熱結構、驅動電路及控制程序的設計難度。
              (a  開通特性曲線)

              b  關斷特性曲線)

              (圖3  2B450M120S1P開關特性曲線圖@Tj=150℃,Rg=1Ω)
              功耗情況
              研究表明,IGBT器件的結溫每升高10℃,失效率就會增加一倍,并且絕大多數器件失效都是由于工作結溫過高導致的。因此,控制功率模塊的工作結溫是設計中需要重點考慮的又一因素。示例模塊的計算結果表明,在母線電壓600V,導通電流225A,頻率10kHz的半載工況下,示例模塊的耗散功率遠低于市場上A公司的產品,如圖4所示。
              (圖4 總損耗對比圖)
              根據結溫計算公式,總損耗的降低可以有效降低芯片的結溫,芯片的溫度可以受到有效控制,保證了芯片的安全工作范圍,有利于簡化應用端的散熱設計。
              可靠性實現
              對于大功率的應用來說,模塊的可靠性是重點考量的要素之一,為提高這一指標,中恒微半導體通過采用:
              ?高可靠性工藝體系
              ?高自動化生產設備、工藝
              進行模塊制造,提高了產品的可靠性的同時也保證了產品性能的一致性。
              (圖5 DriveZ62裝配結構圖)
              信號引線鍵合工藝設計
              該封裝模塊是并聯(lián)半橋結構,其性能高度依賴于工作條件下的均流實現,為此,中恒微半導體采用了對稱型的布局方式,高度對稱并聯(lián)部分的電路設計,從而實現均流特性。另外,為提高開關過程的穩(wěn)定性,端子引線鍵合采用先連接至DBC銅層再連接到柵極的方式,避免了開關電流不穩(wěn)定造成門極振蕩的情況,并有效降低了驅動電感。
              功率端子超聲焊接工藝
              功率端子作為應用中重要電氣接口,并且是最容易產生疲勞失效的部位,DriveZ62封裝摒棄傳統(tǒng)的釬焊焊接工藝,采用超聲焊接工藝完成電氣連接,避免了連接材料之間因CTE的差異產生疲勞失效的問題,大幅度提高了器件的可靠性。
              (圖6 端子結構及焊接示意圖)
              (圖7 經過溫度循環(huán)測試后端子結合位置破壞情況示意)
              2.1  功率端子結構設計
              ?對稱型的結構設計,使模塊安裝時的應力均勻分布,其折彎處更加可靠。
              ?應力緩沖結構的設計,減小了安裝過程端子引腳所受的結構應力。
              2.2超聲焊接工藝
              ?更高的過流能力。根據計算,超聲焊接的電流耐受力是鋁線鍵合的3.5倍。
              ?降低熱機械應力。優(yōu)化了模塊的抗沖擊、抗振動特性。
              焊片工藝
              傳統(tǒng)的焊膏工藝受限于印刷鋼網和焊膏均勻度的限制,焊料層BLT難以控制,并存在清洗工藝的難點與不穩(wěn)定,保證空洞率的穩(wěn)定性更是成為焊接過程中需要考慮的重要因素。為避免這一現象,中恒微半導體采用了全焊片工藝,既簡化了回流焊接的工藝流程,又保證了焊料層的可靠性和穩(wěn)定性。
              3.1 使用焊片可以有效控制焊料層厚度,控制模塊熱阻
              3.2 減少焊層空洞率
              (圖8 采用焊片焊接的DBC下方焊接層空洞掃描圖)

              總結
              中恒微(ZHMSEMI)半導體推出的DriveZ62封裝IGBT功率模塊具備優(yōu)良的電氣性能、高可靠性及寬兼容性,適用于電機驅動、UPS電源、感應加熱等應用領域,可以替換市場上的同類模塊,為工業(yè)市場提供了高可靠性IGBT功率模塊的全新選擇。



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